获得在分割衬底上制造的半导体器件的高质量边界的方法
基本信息
| 申请号 | CN200710104428.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN100580905C | 公开（公告）日 | 2010-01-13 |
| 申请公布号 | CN100580905C | 申请公布日 | 2010-01-13 |
| 分类号 | H01L21/784(2006.01)I;H01L27/00(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王立;江风益 | 申请（专利权）人 | 中国农业银行股份有限公司南昌高新支行 |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 | 代理人 | 晶能光电(江西)有限公司;晶能光电（江西）有限公司 |
| 地址 | 330047江西省南昌市南京东路235号南昌大学北区(材料科学研究所) | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明的一个实施例提供一种用于获得在沟槽分割衬底上制造的各个多层结构的高质量边界的工艺。在操作期间，该工艺获取沟槽分割衬底，其中将该衬底的表面分成由沟槽阵列分隔的隔离淀积台的阵列。然后，该工艺在淀积台中的一个上形成多层结构，该多层结构包括第一掺杂层、有源层和第二掺杂层。接着，该工艺去除多层结构的侧壁。 |
