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具有内陷电极的半导体发光元件

基本信息

申请号 CN200510027807.5 申请日 -
公开（公告）号 CN100474641C 公开（公告）日 2009-04-01
申请公布号 CN100474641C 申请公布日 2009-04-01
分类号 H01L33/00(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 江风益;王立;方文卿;周毛兴;刘和初 申请（专利权）人 中国农业银行股份有限公司南昌高新支行
代理机构 江西省专利事务所 代理人 晶能光电（江西）有限公司
地址 330047江西省南昌市南京东路235号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种具有内陷电极的半导体发光元件，该元件包括一个具有主面和背面的衬底、形成于衬底主面之上的第一导电类型半导体层、形成于第一半导体层之上的第二导电类型半导体层、形成在衬底背面的第一欧姆电极和形成于第二导电类型半导体层上的第二欧姆电极，特征是第二导电类型半导体层表面具有一凹坑，凹坑的深度大于第二欧姆电极的厚度，且第二欧姆电极形成于凹坑内。衬底和第一导电类型半导体层之间有一金属叠层。所述的第一导电类型半导体层为P型层，所述的第二导电类型半导体层为N型层，N型层和P型层之间还有一发光层。本发明可改善传统半导体发光元件的电极牢固度问题，从而解决影响欧姆接触性能和元件长期工作的可靠性的难题。