一种铟砷锑多晶原料的合成方法
基本信息
| 申请号 | CN202010658979.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111763988A | 公开（公告）日 | 2020-10-13 |
| 申请公布号 | CN111763988A | 申请公布日 | 2020-10-13 |
| 分类号 | C30B29/40;C30B11/00;C30B28/06 | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 练小正 | 申请（专利权）人 | 进化半导体（深圳）有限公司 |
| 代理机构 | 北京中仟知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 田江飞 |
| 地址 | 300354 天津市津南区辛庄镇金地艺境29号楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种铟砷锑多晶原料的合成方法，通过设计特定的原料组分、采用特殊的合成装置以及独创的原料合成工艺，成功合成了公斤级的InAsxSb1‑x（0≤x≤0.1）多晶原料，为后续大尺寸铟砷锑体单晶的制备奠定了基础。 |
