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一种新型基片集成波导滤波器半矩形通槽侧壁

基本信息

申请号 CN202122386708.3 申请日 -
公开（公告）号 CN216015647U 公开（公告）日 2022-03-11
申请公布号 CN216015647U 申请公布日 2022-03-11
分类号 H01P1/20（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 王司亮 申请（专利权）人 四川欣科奥电子科技有限公司
代理机构 成都为知盾专利代理事务所（特殊普通合伙） 代理人 李汉强
地址 610000四川省成都市成华区龙潭工业园成宏路26号汇润国际11楼
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种新型基片集成波导滤波器半矩形通槽侧壁，针对现有技术中存在的滤波器的金属化侧壁的利用率低，高精度激光激光打孔设备进行加工时间长，且大量的矩形通槽造成材料的浪费问题，本申请的技术方案包括金属侧壁，所述金属侧壁呈矩形，其包括一层介质基片，所述介质基片采用陶瓷材料制成，所述介质基片上设置有数条矩形通槽和数条半矩形通槽，其目的为：加工侧壁时在相邻的两个滤波器的侧壁间打一排矩形通槽，然后以矩形通槽的中心线为切割线进行切割，最终形成高性能、小体积，便于批量生产的基片集成滤波导波器半矩形通槽侧壁。