一种新型低电磁泄密水密型波导微带过渡
基本信息
申请号 | CN202122391715.2 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN214797679U | 公开(公告)日 | 2021-11-19 |
申请公布号 | CN214797679U | 申请公布日 | 2021-11-19 |
分类号 | H01P5/10(2006.01)I;H01P5/107(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 王司亮 | 申请(专利权)人 | 四川欣科奥电子科技有限公司 |
代理机构 | 成都为知盾专利代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人 | 李汉强 |
地址 | 610000四川省成都市成华区龙潭工业园成宏路26号汇润国际11楼 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本实用新型公开了一种新型低电磁泄密水密型波导微带过渡,属于微波技术领域,针对现有技术中存在的一排金属过化孔隔离能力不足,存在电磁波泄漏的问题,并且当微波组件内通道过多时,单排金属过化孔的通道隔离能力大大降低,无法达到电磁屏蔽的效果问题,本实用新型包括波导、微带线和过渡结构,所述波导与所述微带线的信号传输方向成90度,通过微波基片将整个波导口覆盖密封,所述微波基片与波导口连接的另一面连接有腔体,所述微带线和过渡结构设置在腔体内,所述微波基片上腔体边沿设置有两排金属过化孔。其目的为:提高电磁屏蔽性能,实现相邻通道的高隔离特性。 |
