制造高密度氧化锡铟(ITO)溅射靶
基本信息
| 申请号 | CN201180038918.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103221572A | 公开（公告）日 | 2013-07-24 |
| 申请公布号 | CN103221572A | 申请公布日 | 2013-07-24 |
| 分类号 | C23C14/35(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | D·巴鲁克 | 申请（专利权）人 | 深圳赛丽图光电新材料科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京润平知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王凤桐;周建秋 |
| 地址 | 518110 广东省深圳市宝安区观澜街道启明社区裕昌路13号金裕工业园 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 提供了制造氧化锡铟(ITO)溅射靶的方法。所述方法包括：沉淀氢氧化铟和氢氧化锡、煅烧氢氧化物、以生产颗粒状ITO粉末、使用添加剂（如专门的烧结助剂、分散剂和粘结剂）制备ITO粉末的含水浆液、研磨浆液以得到粉浆、使用多孔铸模通过浇注粉浆制备压实的ITO生坯或干燥粉浆以产生颗粒状ITO粉末和冷等静压粉末、和烧结生坯以产生具有大于理论的99%的高密度的ITO靶。 |
