一种溴掺杂的高导电超薄石墨烯膜的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201810061894.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108249424B | 公开（公告）日 | 2020-01-10 |
| 申请公布号 | CN108249424B | 申请公布日 | 2020-01-10 |
| 分类号 | C01B32/184（2017.01） | 分类 | 无机化学; |
| 发明人 | 高超; 彭蠡; 许震 | 申请（专利权）人 | 杭州德烯科技集团有限公司 |
| 代理机构 | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人 | 黄欢娣;邱启旺 |
| 地址 | 313100 浙江省湖州市长兴经济开发区明珠路1278号长兴世贸大厦8层830室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种溴掺杂的高导电超薄石墨烯膜的制备方法，该石墨烯膜由氧化石墨烯经过滤抽成膜、化学还原、固液同步转移、高温石墨化、溴掺杂等步骤得到。该石墨烯膜由单层氧化/还原氧化石墨烯通过物理交联组成。石墨烯膜厚度为10‑2000个原子层。氧化石墨烯膜厚度很小，并且内部存在大量的缺陷，因而具很好的透明度以及极好的柔性。化学还原后，大部分官能团消失，石墨烯膜开始导电；高温还原，石墨烯结构修复，电子迁移率提升；溴掺杂后石墨烯载流子浓度提升。此石墨烯膜可用作高柔性透明导电器件。 |
