一种薄膜沉积装置和薄膜沉积方法
基本信息
| 申请号 | CN202110428360.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113249707A | 公开（公告）日 | 2021-08-13 |
| 申请公布号 | CN113249707A | 申请公布日 | 2021-08-13 |
| 分类号 | C23C16/44（2006.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 刘镇颉;柳雪 | 申请（专利权）人 | 拓荆科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 沈阳维特专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 陈晖 |
| 地址 | 110179辽宁省沈阳市浑南区水家900号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种薄膜沉积装置和薄膜沉积方法，其中一种薄膜沉积装置包括：反应腔室、承载座，所述承载座设置于反应腔室中，用于承载基板；所述反应腔室上部设有第一进气口，反应腔室下部设有第二气体进气口和泵抽气口，所述反应腔室内的两侧设有环形侧壁，所述反应腔室内还设有分隔板和第二气体出气环；本发明提供的一种薄膜沉积装置，可与薄膜沉积工艺同步进行，减少清洗时间提高产能，并改善腔体及薄膜颗粒度；本发明提供的薄膜沉积方法，通过腔体侧壁形成气环降低腔体侧壁的温度，通过惰性气体稀释腔体底部的反应源浓度，防止薄膜累积过多及清除不彻底而产生的颗粒，改善了腔体及薄膜颗粒度。 |
