用于半导体薄膜沉积设备中绝缘柱升降状态的检测方法及检测系统
基本信息
| 申请号 | CN202110394645.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113257698A | 公开（公告）日 | 2021-08-13 |
| 申请公布号 | CN113257698A | 申请公布日 | 2021-08-13 |
| 分类号 | H01L21/66（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王琳琳;王卓;杨艳 | 申请（专利权）人 | 拓荆科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 沈阳维特专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 王翠 |
| 地址 | 110179辽宁省沈阳市浑南区水家900号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种用于半导体薄膜沉积设备中绝缘柱升降状态的检测方法及检测系统，检测方法中基于对半导体薄膜沉积设备中薄膜沉积腔内晶圆的厚度检测，依据检测的晶圆厚度来间接反映出晶圆是否发生倾斜，进而判断绝缘柱的升降状态，一旦绝缘柱的升降状态存在异常，则可控制机械手臂停止进行取片动作，进而避免机械手臂与晶圆发生碰撞，从降低腔体碎片概率、机械手指撞片损伤的概率，减少设备故障时间以及晶圆异常沉积造成的电弧硬件损伤；该检测方法，简单易行，可为后续的机械手臂进行预警，可有效降低设备的故障率；所述检测系统，是基于上述检测方法而研发的一套检测系统，具有设计合理，结构简单等优点。 |
