双面沉积设备及方法
基本信息
| 申请号 | CN202010221138.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113445029A | 公开（公告）日 | 2021-09-28 |
| 申请公布号 | CN113445029A | 申请公布日 | 2021-09-28 |
| 分类号 | C23C16/505（2006.01）I;C23C16/458（2006.01）I;C23C16/455（2006.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 吕光泉;张赛谦;刘忠武 | 申请（专利权）人 | 拓荆科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 林斯凯 |
| 地址 | 110179辽宁省沈阳市浑南区水家900号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请涉及双面沉积设备及方法。所述双面沉积设备包括：腔室；上电极，其设置于所述腔室中且包括第一喷淋头，所述第一喷淋头用于提供第一反应气体至晶圆的上表面，以在所述上电极与所述晶圆的上表面之间形成第一等离子体区；下电极，其设置于所述腔室中且包括第二喷淋头，所述第二喷淋头用于提供第二反应气体至所述晶圆的下表面，以在所述下电极与所述晶圆的下表面之间形成第二等离子体区，其中所述第一喷淋头提供第一反应气体的期间与所述第二喷淋头提供第二反应气体的期间至少有部分重叠。 |
