一种倒置结构紫外有机发光器件双电子注入层的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201910867534.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110518139B | 公开（公告）日 | 2021-08-24 |
| 申请公布号 | CN110518139B | 申请公布日 | 2021-08-24 |
| 分类号 | H01L51/50;H01L51/56 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张小文;李皖蜀;徐凯;许积文;陈国华;王立惠;卢宗柳 | 申请（专利权）人 | 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司 |
| 代理机构 | 广州市一新专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 侯腾腾 |
| 地址 | 541004 广西壮族自治区桂林市七星区金鸡路1号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种倒置结构紫外有机发光器件双电子注入层的制备方法，包括步骤：（1）用无水乙醇洗涤CsWOx粉末，然后过滤、干燥、加入去离子水，得到CsWOx水性溶液。（2）将35‑45nm的金属钼粉末及10‑14μm的金属钨粉末加入到盛有异丙醇的容器中，金属钼粉末与金属钨粉末重量比1:（1.8‑2.0），然后再加入H2O2搅拌，得到悬浮液。（3）将整个容器放入高压反应釜中，在160°C的环境下加热12小时，冷却至室温后离心收集沉淀物，所收集的沉淀物再用无水乙醇洗涤，得到MoWOx乙醇溶液。（4）将CsWOx水性溶液旋涂在处理好的ITO表面上并做退火处理；然后在其上再旋涂MoWOx乙醇溶液并做退火处理。 |
