一种光刻胶显影残渣去除方法
基本信息
| 申请号 | CN202110160658.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112859555A | 公开（公告）日 | 2021-05-28 |
| 申请公布号 | CN112859555A | 申请公布日 | 2021-05-28 |
| 分类号 | G03F7/42(2006.01)I;G03F7/30(2006.01)I | 分类 | 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕; |
| 发明人 | 方小磊;叶武阳;刘耀聪;李天成;吕磊;蔡雨杉 | 申请（专利权）人 | 长春长光圆辰微电子技术有限公司 |
| 代理机构 | 长春中科长光知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 高一明;郭婷 |
| 地址 | 130000吉林省长春市经开区营口路18号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及半导体芯片加工制造领域。本发明提供一种光刻胶显影残渣去除方法，在常规显影装置机械臂上增加一套二流体喷嘴，所述二流体喷嘴将去离子水和高纯氮气同时喷洒到硅片表面，并通过机械臂带动所述二流体喷嘴移动，实现对整个硅片的扫描式清洗。与加大显影液用量和延长显影时间相比，本发明提出的方案仅仅需要简单的设备改造和程式修改，可以将光刻胶残渣彻底去除，而不影响图案的关键尺寸和形貌，从而节约成本、提高产能。 |
