一种提高硅片键合力的方法
基本信息
| 申请号 | CN202011615431.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112670170A | 公开（公告）日 | 2021-04-16 |
| 申请公布号 | CN112670170A | 申请公布日 | 2021-04-16 |
| 分类号 | H01L21/18 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘佳晶;丁正建;王宣欢;于乐;张凯;方小磊 | 申请（专利权）人 | 长春长光圆辰微电子技术有限公司 |
| 代理机构 | 长春中科长光知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 高一明;郭婷 |
| 地址 | 130000 吉林省长春市经开区营口路18号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种提高硅片键合力的方法，其特征在于，通过等离子化学气相沉积，在其中一片硅片上生长二氧化硅薄膜；将两片硅片在常温常压下进行键合并退火。解决了两片硅片在常温常压下键合强度小的问题，并且改善了硅片本身的使用局限性，拓展了可用的硅片范围，提高了键合硅片的键合强度，保证了产品的成品率和质量。 |
