硅片单侧膜淀积的方法
基本信息
| 申请号 | CN202011609514.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112802734A | 公开（公告）日 | 2021-05-14 |
| 申请公布号 | CN112802734A | 申请公布日 | 2021-05-14 |
| 分类号 | H01L21/02;H01L21/683;C23C16/04;C23C16/40;C23C16/455 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 方小磊;刘佳晶;于乐;陈涛;王宣欢;陈艳明 | 申请（专利权）人 | 长春长光圆辰微电子技术有限公司 |
| 代理机构 | 长春中科长光知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 高一明;郭婷 |
| 地址 | 130000 吉林省长春市经开区营口路18号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种硅片单侧膜淀积的方法，提出硅片单侧膜淀积的方法，该方法为通过利用原子层沉积（ALD）设备在低温下实现硅片单侧薄膜淀积，即选择合适的背膜，并将此背膜通过一定的技术手段粘附在硅片的背面以防止硅片背面淀积薄膜，在淀积工艺完成后将背膜剥离即可。一般情况下，背膜可以在200℃‑300℃保持12小时而不熔化、收缩或变形。通过背膜的运用，实现了低温下（200℃‑300℃）硅片单侧膜沉积的目的，为后续工艺提供了方便条件。此种方法可应用于氧化铝，氧化铪等薄膜的制备，并且具有简便、易操作、成本低等优点。同时，制备的薄膜厚度线性可调（15A‑1000A），均匀性好（均匀性小于0.5％）。 |
