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一种氧化镓基紫外发光二极管及其制备方法

基本信息

申请号	CN201911336526.6	申请日	-
公开（公告）号	CN111048636A	公开（公告）日	2020-04-21
申请公布号	CN111048636A	申请公布日	2020-04-21
分类号	H01L33/14;H01L33/02;H01L33/04;H01L33/00	分类	基本电气元件;
发明人	孙智江;王书昶;冯源;穆久涛;张哲	申请（专利权）人	海威半导体（南通）有限公司
代理机构	北京一格知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	江苏如高第三代半导体产业研究院有限公司
地址	226500 江苏省南通市如皋市城南街道万寿南路999号
法律状态	-

摘要

本发明涉及一种氧化镓基紫外发光二极管及其制备方法，包括由下至上依次设置的蓝宝石衬底、AlN成核层、Ga₂O₃缓冲层、n型Ga₂O₃层、Ga₂O₃/GaN量子阱有源区、p型AlN/Ga₂O₃超晶格结构电子阻挡层、p型Ga₂O₃层和氧化铟锡透明导电层，在氧化铟锡透明导电层上引出p型欧姆电极，在n型Ga₂O₃层上引出n型欧姆电极。本发明的优点在于：由于p型AlN/Ga₂O₃超晶格结构具有高吸收系数、高横向载流子迁移率，对载流子具有强的量子限制效应，作为电子阻挡层能够有效抑制电子溢出有源区；另外，采用p型Ga₂O₃层，能够极大地增加p型区的空穴浓度，降低空穴激活能，提高空穴注入效率，从而提高载流子在有源区的复合效率。