一种多晶硅设备的化学络合清洗方法
基本信息
申请号 | CN201510715726.8 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN105256320A | 公开(公告)日 | 2018-04-27 |
申请公布号 | CN105256320A | 申请公布日 | 2018-04-27 |
分类号 | C23G1/08;C23C22/62 | 分类 | 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
发明人 | 刘辉 | 申请(专利权)人 | 长安银行股份有限公司咸阳人民东路支行 |
代理机构 | 西安智大知识产权代理事务所 | 代理人 | 刘国智 |
地址 | 712000 陕西省咸阳市迎宾大道李家寨北侧66号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明提供了一种多晶硅储罐类设备清洗装置,络合化学清洗及设备清洗工艺是对传统“酸碱清洗”的一项绿色新技术革命;其采用的无毒无味,不挥发,排放无污染环境的络合剂进行清洗,完全解决了多晶硅清洗中的各种难题,避免了酸洗对设备材质的腐蚀损伤。本发明能够采用浸泡式循环流水线作业,使多晶硅设备的管道清洗产能提高3-5倍,能大大缩短多晶硅设备清洗的时间。 |
