一种微腔芯片及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202111291758.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114137659A | 公开（公告）日 | 2022-03-04 |
| 申请公布号 | CN114137659A | 申请公布日 | 2022-03-04 |
| 分类号 | G02B6/13（2006.01）I;G02B6/136（2006.01）I | 分类 | 光学; |
| 发明人 | 李昱东;李维;冯梁森;尤建琦;李小宽;刘雅丽 | 申请（专利权）人 | 中国航空工业集团公司北京长城计量测试技术研究所 |
| 代理机构 | 北京市隆安律师事务所 | 代理人 | 付建军 |
| 地址 | 100095北京市海淀区温泉镇环山村1066信箱 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种微腔芯片及其制备方法，其中，微腔芯片的制备方法包括：准备晶圆衬底；在衬底上进行低折射率材料的下包层生长；在下包层中生长高折射率材料的第一芯层；在所述第一芯层中按照预定的版图进行波导结构和微腔结构中的一个的光刻刻蚀；在所述第一芯层上进行低折射率材料的第一上包层生长；使用化学机械抛光对晶圆进行平坦化；在所述第一上包层上进行控制耦合间距的低折射率材料的间隔包层生长；在所述间隔包层上生长高折射率材料的第二芯层；在所述第二芯层中按照预定的版图进行波导结构和微腔结构中的另一个的光刻刻蚀；在所述第二芯层上进行低折射率材料的第二上包层生长。本发明能够解决现有技术昂贵复杂并且引入额外噪声的问题。 |
