晶圆级封装方法以及封装结构
基本信息
| 申请号 | CN201811028259.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110875204B | 公开（公告）日 | 2022-03-18 |
| 申请公布号 | CN110875204B | 申请公布日 | 2022-03-18 |
| 分类号 | H01L21/56（2006.01）I;H01L23/552（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 罗海龙;克里夫·德劳利 | 申请（专利权）人 | 中芯集成电路（宁波）有限公司 |
| 代理机构 | 上海知锦知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 高静;李丽 |
| 地址 | 315800浙江省宁波市北仑区小港街道安居路335号3幢、4幢、5幢 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种晶圆级封装方法和封装结构，所述封装方法包括：形成键合结构，所述键合结构包括：器件晶圆以及键合于所述器件晶圆的多个第一芯片；在所述多个第一芯片以及第一芯片露出的所述器件晶圆上保形覆盖绝缘层；在所述绝缘层上保形覆盖屏蔽层；在所述屏蔽层上形成封装层。所述晶圆级封装结构，包括：器件晶圆；多个第一芯片，键合于所述器件晶圆；绝缘层，保形覆盖在所述多个第一芯片以及第一芯片露出的所述器件晶圆上；屏蔽层，保形覆盖于所述绝缘层；封装层，位于所述屏蔽层上。本发明减小所形成封装结构的体积和厚度。 |
