半导体器件及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202010985114.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114203546A | 公开（公告）日 | 2022-03-18 |
| 申请公布号 | CN114203546A | 申请公布日 | 2022-03-18 |
| 分类号 | H01L21/311（2006.01）I;H01L21/02（2006.01）I;G03F7/42（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王明军;刘磊 | 申请（专利权）人 | 中芯集成电路（宁波）有限公司 |
| 代理机构 | 上海知锦知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 李丽 |
| 地址 | 315800浙江省宁波市北仑区小港街道安居路335号3幢、4幢、5幢 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明实施例提供一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件的制造方法包括提供待加工半导体结构，所述待加工半导体结构包括停止层，覆盖于所述停止层上的已被刻蚀层和位于所述已被刻蚀层上的光刻胶层，所述已被刻蚀层暴露出部分停止层表面；利用干法去胶工艺去除至少部分厚度的所述光刻胶层，所述干法去胶工艺所使用的去胶气体包括氧气和停止层保护膜形成气体。本发明实施例所提供的半导体器件的制造方法，可以降低去胶工艺对位于被刻蚀层下方的停止层造成的损伤，提高所得到的半导体器件的质量，本发明实施例所提供的半导体器件具有较高的质量。 |
