半导体结构及其形成方法
基本信息
| 申请号 | CN201810415649.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108598260B | 公开（公告）日 | 2022-03-15 |
| 申请公布号 | CN108598260B | 申请公布日 | 2022-03-15 |
| 分类号 | H01L49/02（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 罗海龙;邢超;刘孟彬 | 申请（专利权）人 | 中芯集成电路（宁波）有限公司 |
| 代理机构 | 上海知锦知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 高静;李丽 |
| 地址 | 315801浙江省宁波市北仑区小港街道安居路335号3幢、4幢、5幢 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供衬底，衬底上形成有第一介质层，且第一介质层上形成有多个分立的第一多晶硅层；采用湿法刻蚀工艺对第一多晶硅层进行第一清洗处理，去除自然氧化层和聚合物副产物；在第一介质层和第一多晶硅层表面形成第二介质层；在第二介质层侧壁形成补偿侧壁；形成覆盖第二介质层和补偿侧壁的多晶硅膜；刻蚀多晶硅膜，保留位于第一多晶硅层顶部的第二介质层和补偿侧壁上的多晶硅膜作为第二多晶硅层。当第二介质层在第一多晶硅层和第一介质层的拐角位置处形成有凹槽时，补偿侧壁能填充凹槽，避免刻蚀多晶硅膜后在凹槽中形成多晶硅残留，从而避免相邻第二多晶硅层因多晶硅残留而出现桥接。 |
