一种CI复合导电体及其制备方法和应用
基本信息
| 申请号 | CN201911221367.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111383792A | 公开（公告）日 | 2020-07-07 |
| 申请公布号 | CN111383792A | 申请公布日 | 2020-07-07 |
| 分类号 | H01B5/00(2006.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 丁梓兴 | 申请（专利权）人 | 深圳市金中瑞通讯技术有限公司 |
| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 | 代理人 | 巩克栋 |
| 地址 | 518000广东省深圳市龙华新区大浪街道大浪社区美宝路黄麻埔村荣力工业园A栋2楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种CI复合导电体，所述复合导电体包括导电框体结构，所述导电框体为中空结构，所述中空结构内部设置有软金属层。所述导电体具有优异的结构性能、抗腐蚀性能、导电性能以及屏蔽性能，且可塑性强，可根据不同使用需求进行结构调整。 |
