一种高致密超细晶大尺寸钼靶材的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201910187697.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109778126A | 公开（公告）日 | 2021-06-01 |
| 申请公布号 | CN109778126A | 申请公布日 | 2021-06-01 |
| 分类号 | C23C14/34;B22F5/00 | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 阚金锋;钟铭;杨义兵;李旺;李阳;董建英;王广达 | 申请（专利权）人 | 安泰天龙（天津）钨钼科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京五洲洋和知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 刘春成;荣红颖 |
| 地址 | 301800 天津市宝坻区节能环保工业区宝中道10号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种高致密超细晶大尺寸钼靶材的制备方法，通过冷等静压压型‑烧结‑热等静压压型‑热轧制‑退火‑机加工的工艺流程来制备钼靶材，钼靶材先通过热等静压处理后，对钼靶材坯料进行了第一次致密化处理，然后将该坯料进行热轧处理，对钼靶材坯料进行了第二次致密化处理，最后经过950‑1100℃，保温60‑90min的退火处理及机械加工等工序获得所需性能的钼靶材。本发明的制备方法能够制作出高纯度（纯度达到99.9％以上））、全致密（密度达到99.9％以上）、超细晶（晶粒度小于20μm）的钼靶材，可满足要求越来越高的溅射工艺，提高薄膜溅射速度，改善钼金属溅射薄膜的质量，提高薄膜性能。 |
