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沟槽栅逆导型IGBT器件

基本信息

申请号	CN202110720251.7	申请日	-
公开（公告）号	CN113451400A	公开（公告）日	2021-09-28
申请公布号	CN113451400A	申请公布日	2021-09-28
分类号	H01L29/739（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	孙娜;李淑霞	申请（专利权）人	宁波达新半导体有限公司
代理机构	上海浦一知识产权代理有限公司	代理人	郭四华
地址	315400浙江省宁波市余姚市经济开发区城东新区冶山路479号科创大楼13层1306室
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种沟槽栅逆导型IGBT器件，沟槽栅分成了第一栅极结构和第二栅极结构，漂移区的背面通常形成有集电区和与集电区掺杂类型相反的背面源区，第二栅极结构控制第二沟道形成的第二阈值电压小于第一栅极结构控制第一沟道形成的第一阈值电压。第二栅极结构的第二栅极导电材料层和发射区一起都连接到发射极，由发射区、通过第一栅极导电材料层控制的基区、漂移区和集电区组成IGBT单元。由发射区、通过第二栅极导电材料层控制的基区、漂移区和背面源区组成反向恢复晶体管单元。本发明通过单极导电模式的反向恢复晶体管单元来输运反向恢复电流，能提高反向恢复的开关速度和功耗，改善反向恢复特性；还能改善器件的电容特性和栅电荷特性。