MOSFET功率器件的终端结构
基本信息
| 申请号 | CN201420066958.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN203707138U | 公开（公告）日 | 2014-07-09 |
| 申请公布号 | CN203707138U | 申请公布日 | 2014-07-09 |
| 分类号 | H01L29/40(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 孙娜;陈智勇;张海涛 | 申请（专利权）人 | 宁波达新半导体有限公司 |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 宁波达新半导体有限公司;上海达新半导体有限公司 |
| 地址 | 315400 浙江省宁波市余姚市经济开发区城东新区冶山路479号科创大楼13层1306室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种MOSFET功率器件的终端结构，终端结构形成在终端区中，终端区环绕在主动区周侧；主动区中的P阱和N-外延层形成的PN结为主结；终端结构包括多晶硅场板、第一金属场板、第二金属场板、一个以上沟槽场环和一沟槽截止环；多晶硅场板由形成于主动区中的多晶硅栅延伸形成。沟槽截止环形成于终端区的最外侧，沟槽场环位于沟槽截止环和P阱之间；在第一介质层表面形成有第二介质层，第一和二金属场板形成于第二介质层表面；在横向上第一和二金属场板之间相隔一段距离，第一金属场板位于终端区的靠近P阱的一侧、第二金属场板位于终端区的靠近沟槽截止环的一侧。本实用新型能降低终端结构的占用面积、制作工艺难度和成本。 |
