半导体功率器件的终端结构及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201510845704.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106803515A | 公开（公告）日 | 2017-06-06 |
| 申请公布号 | CN106803515A | 申请公布日 | 2017-06-06 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L21/18(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 高文玉;孙娜;陈智勇 | 申请（专利权）人 | 宁波达新半导体有限公司 |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 宁波达新半导体有限公司;上海达新半导体有限公司 |
| 地址 | 315400 浙江省宁波市余姚市经济开发区城东新区冶山路479号科创大楼13层1306室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体功率器件的终端结构，包括：多个P型场限环；介质隔离条将P型场限环之间的N型半导体材料表面完全覆盖；SIPOS层覆盖在各P型场限环的表面上并延伸到介质隔离条表面上；在SIPOS层表面覆盖有介质保护层。SIPOS层和P型场限环直接接触，SIPOS层和N型半导体材料间隔有所述介质隔离条，本发明通过介质隔离条来减少SIPOS层和底部半导体材料接触的面积从而减少漏电，通过SIPOS层和P型场限环直接接触来提高耐压一致性。本发明还公开了一种半导体功率器件的终端结构的制造方法。本发明能降低终端漏电，提高器件耐压以及耐压一致性，工艺简单。 |
