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MOSFET功率器件的终端结构

基本信息

申请号	CN201420050226.8	申请日	-
公开（公告）号	CN203707142U	公开（公告）日	2014-07-09
申请公布号	CN203707142U	申请公布日	2014-07-09
分类号	H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/40(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	张海涛;陈智勇;孙娜	申请（专利权）人	宁波达新半导体有限公司
代理机构	上海浦一知识产权代理有限公司	代理人	宁波达新半导体有限公司;上海达新半导体有限公司
地址	315400 浙江省宁波市余姚市经济开发区城东新区冶山路479号科创大楼13层1306室
法律状态	-

摘要

本实用新型公开了一种MOSFET功率器件的终端结构，终端结构形成在终端区中，终端区环绕在主动区周侧；主动区中的P阱和N-外延层形成的PN结为主结；终端结构包括多晶硅场板、第一金属场板、第二金属场板和沟槽截止环；多晶硅场板由形成于主动区中的多晶硅栅延伸形成，且多晶硅场板下的第一介质层厚度大于多晶硅栅下的栅介质层厚度。沟槽截止环形成于终端区的最外侧；在第一介质层表面形成有第二介质层，第一和二金属场板形成于第二介质层表面；在横向上第一和二金属场板之间相隔一段距离，第一金属场板位于终端区的靠近P阱的一侧、第二金属场板位于终端区的靠近沟槽截止环的一侧。本实用新型能降低终端结构的占用面积、制作工艺难度和成本。