场终止型功率器件的制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201810003581.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109994544A | 公开（公告）日 | 2019-07-09 |
| 申请公布号 | CN109994544A | 申请公布日 | 2019-07-09 |
| 分类号 | H01L29/739（2006.01）I; H01L29/868（2006.01）I; H01L29/06（2006.01）I; H01L21/324（2006.01）I; H01L21/331（2006.01）I; H01L21/329（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 高文玉; 陈智勇; 孙娜; 斯海国 | 申请（专利权）人 | 宁波达新半导体有限公司 |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 宁波达新半导体有限公司; 上海达新半导体有限公司 |
| 地址 | 315400 浙江省宁波市余姚市经济开发区城东新区冶山路479号科创大楼13层1306室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种场终止型功率器件的制造方法，包括步骤：步骤一、提供一N型掺杂的单晶结构的硅片；步骤二、在硅片的正面形成正面保护层以及在硅片的背面形成背面保护层；步骤三、在硅片的正面的选定区域中进行形成终端保护环的P型离子注入；步骤四、在硅片的背面进行全面的形成场终止区的N型离子注入；步骤五、进行热扩散并分别在硅片的正面形成终端保护环以及在硅片的背面形成场终止区；步骤六、继续完成后续的正面工艺以及背面工艺。本发明能够使得场终止区和终端保护环采用相同的热扩散工艺同时退火激活，从而能降低工艺成本，还能保证场终止区和终端保护环的性能，以及不会影响到器件的其它掺杂区的性能。 |
