一种反熔丝存储单元及其数据读写电路
基本信息
| 申请号 | CN202110889462.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113345506A | 公开（公告）日 | 2021-09-03 |
| 申请公布号 | CN113345506A | 申请公布日 | 2021-09-03 |
| 分类号 | G11C17/16（2006.01）I;G11C7/22（2006.01）I | 分类 | 信息存储; |
| 发明人 | 王春华 | 申请（专利权）人 | 南京沁恒微电子股份有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 210012江苏省南京市雨花台区宁双路18号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种反熔丝存储单元及其数据读写电路，反熔丝存储单元包括基底，基底上有一N阱和非N阱区，非N阱区上设有第一NMOS管，所述第一NMOS管的栅极用于输入第一选通信号，所述N阱上设有PMOS管和电容管，PMOS管与电容管的栅极均连接第一NMOS管的漏极，PMOS管的漏极、源极、衬底及电容管的漏极、源极、衬底均连接可控电源。本发明增加了可编程区域的面积，减小了存储单元击穿后的导通电阻，提高了可靠性，降低了成本，并有利于提高数据读取速度。 |
