一种全铝背结N型单晶太阳能电池的制备方法
基本信息
申请号 | CN201810859952.7 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN109244151A | 公开(公告)日 | 2019-01-18 |
申请公布号 | CN109244151A | 申请公布日 | 2019-01-18 |
分类号 | H01L31/0224;H01L31/18 | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 励小伟;梁海;赖儒丹 | 申请(专利权)人 | 浙江启鑫新能源科技股份有限公司 |
代理机构 | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) | 代理人 | 胡拥军;糜婧 |
地址 | 315613 浙江省宁波市象山县经济开发区滨海工业园 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明公开了一种全铝背结N型单晶太阳能电池的制备方法,包括以下步骤:S1.以N型单晶硅片作为基片,将硅片进行制绒、清洗;S2.对步骤S1处理后硅片的正面进行磷扩散,以形成N+区;S3.对步骤S2处理后的硅片的背面进行清洗以及抛光,然后在整个背面印刷铝浆,然后烧结形成背结P区;S4.对步骤S3处理后的硅片进行边缘刻蚀;S5.对步骤S4处理后的硅片进行酸洗以去除背面烧结后多余的铝场以及证明的磷硅玻璃;S6.在步骤S5处理后的硅片的正面镀减反射膜;S7.对步骤S6处理后的硅片进行丝网印刷以及烧结。 |
