一种晶体硅太阳能电池的扩散工艺

基本信息

申请号 CN201810706918.6 申请日 -
公开(公告)号 CN109103081A 公开(公告)日 2018-12-28
申请公布号 CN109103081A 申请公布日 2018-12-28
分类号 H01L21/223;H01L31/18 分类 基本电气元件;
发明人 励小伟;梁海;赖儒丹 申请(专利权)人 浙江启鑫新能源科技股份有限公司
代理机构 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 代理人 胡拥军;糜婧
地址 315613浙江省宁波市象山县经济开发区滨海工业园
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的扩散工艺,包括以下步骤:S1.扩散炉预热并通氮气;S2.进舟,保持扩散炉的温度在750~780℃,同时通氮气;S3.通氧气、氮气,氧气与硅片表面的硅反应生成一层二氧化硅层;S4.第一次沉积三氯氧磷;S5.第二次沉积三氯氧磷,磷源浓度较步骤S4提高;S6.升温扩散推进;S7.高温下,第三次沉积三氯氧磷;S8.高温推进结深;S9.降温退火;S10.退舟。本发明沉积磷时,先低浓度后高浓度升温,采用递增渐变式进行扩散,有利于提高电池片的电性能,减小扩散极差。