旋涂硼源激光掺杂制作N型选择性发射极双面电池的方法
基本信息
| 申请号 | CN201910017046.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109742172A | 公开（公告）日 | 2019-05-10 |
| 申请公布号 | CN109742172A | 申请公布日 | 2019-05-10 |
| 分类号 | H01L31/068（2012.01）I; H01L31/18（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 杨金霖; 袁晓; 李红波; 柳翠; 梁海; 杨宁; 李士正 | 申请（专利权）人 | 浙江启鑫新能源科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 上海科盛知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈亮 |
| 地址 | 200237上海市徐汇区梅陇路130号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及旋涂硼源激光掺杂制作N型选择性发射极双面电池的方法，该方法采用的步骤为：N型硅片制绒、正面采用旋涂法旋涂有机硼源后烘干、扩散炉中扩散形成正面轻掺杂发射极、正面BSG激光掺杂形成重掺杂发射极、背面清洗去PSG、背面磷扩散形成磷背场、正反面沉积减反射钝化膜、印刷正背面电极完成电池制作。与现有技术相比，本发明采用旋涂法将硼源涂覆在硅片正面，利用扩散后正面形成的BSG选择性激光掺杂，使得电极下方区域重掺杂硼，有效降低接触电阻，非电极区采用轻掺杂硼减少了正表面的复合，有效提高了电池的电性能。 |
