一种掩膜版图形关键尺寸精度优化方法
基本信息
| 申请号 | CN202210205001.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114545727A | 公开（公告）日 | 2022-05-27 |
| 申请公布号 | CN114545727A | 申请公布日 | 2022-05-27 |
| 分类号 | G03F1/36（2012.01）I | 分类 | 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕; |
| 发明人 | 徐智俊;李文;徐兵;杜晓威 | 申请（专利权）人 | 合肥清溢光电有限公司 |
| 代理机构 | 合肥律众知识产权代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 230000安徽省合肥市新站区谷河路与通淮路交口东北角 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及掩膜版光刻曝光，具体涉及一种掩膜版图形关键尺寸精度优化方法，设计具有不同图形缝隙面积占比ε的图形，并进行曝光量δ设计；采用固定的湿法制程工艺和CD测量系统，并计算关键尺寸偏差，建立曝光量δ与图形缝隙面积占比ε的关键尺寸偏差模型；截取客户订单主图形，分析计算对应的图形缝隙面积占比ε；基于关键尺寸偏差模型选择合适的曝光量δ，并根据关键尺寸偏差结果进行优化；本发明提供的技术方案能够有效克服现有技术所存在的光刻曝光图形在关键尺寸上与设计值之间存在不稳定偏差的缺陷。 |
