一种抗辐照高效砷化镓太阳电池的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110438714.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112864282B | 公开（公告）日 | 2021-11-05 |
| 申请公布号 | CN112864282B | 申请公布日 | 2021-11-05 |
| 分类号 | H01L31/18（2006.01）I;H01L31/054（2014.01）I;H01L31/0304（2006.01）I;H01L31/041（2014.01）I;H01L31/078（2012.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 徐培强;王克来;宁如光;林晓珊;潘彬;王向武 | 申请（专利权）人 | 南昌凯迅光电股份有限公司 |
| 代理机构 | 南昌金轩知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李楠 |
| 地址 | 330000 江西省南昌市临空经济区黄堂西街199号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种抗辐照高效砷化镓太阳电池的制备方法，属于太阳能电池技术领域。一种抗辐照高效砷化镓太阳电池的制备方法，该太阳电池自下向上依次为Ge衬底、底电池、缓冲层、中底隧穿结、多反射中心布拉格反射镜、中电池、中顶隧穿结、顶电池和盖帽层，其中，多反射中心布拉格反射镜，反射镜由n组交替生长的AlGaInP层和GaInP层组成，通过设计一种新型光谱反射结构，在保证电池结构对入射光足够吸收的情况下，减薄电池区厚度，降低载流子复合几率，提高太阳电池的开路电压及抗辐照性能。 |
