一种改善型三结砷化镓太阳电池及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202111243885.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113690335A | 公开（公告）日 | 2021-11-23 |
| 申请公布号 | CN113690335A | 申请公布日 | 2021-11-23 |
| 分类号 | H01L31/078;H01L31/18 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 徐培强;李俊承;宁如光;林晓珊;潘彬;王向武 | 申请（专利权）人 | 南昌凯迅光电股份有限公司 |
| 代理机构 | 南昌金轩知识产权代理有限公司 | 代理人 | 桑耀 |
| 地址 | 330000 江西省南昌市临空经济区黄堂西街199号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及砷化镓太阳电池结构技术领域，具体是涉及一种改善型三结砷化镓太阳电池及其制作方法，该太阳电池自下向上依次为Ge衬底、Ge底电池、GaAs缓冲层、第一隧穿结、DBR、InGaAs中电池、第二隧穿结、GaInP顶电池；其中，所述第一隧穿结和所述第二隧穿结结构相同，为AlGaInP/InP/AlGaAsP/AlGaInP多异质结结构。本发明制作的太阳电池，其隧穿结采用多异质结隧穿结，可明显提高隧穿电流，降低隧穿结处的压降，同时增强隧穿结的辐照性能，改善产品的可靠性。 |
