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一种正向四结砷化镓太阳电池及其制作方法

基本信息

申请号	CN202111155240.5	申请日	-
公开（公告）号	CN113594285A	公开（公告）日	2021-11-02
申请公布号	CN113594285A	申请公布日	2021-11-02
分类号	H01L31/0687（2012.01）I;H01L31/0352（2006.01）I;H01L31/0224（2006.01）I;H01L31/18（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	徐培强;李俊承;宁如光;熊珊;潘彬;王向武	申请（专利权）人	南昌凯迅光电股份有限公司
代理机构	南昌金轩知识产权代理有限公司	代理人	桑耀
地址	330000 江西省南昌市临空经济区黄堂西街199号
法律状态	-

摘要

本发明涉及一种正向四结砷化镓太阳电池及其制作方法，该太阳电池自下向上依次为Ge衬底、Ge底电池、GaAs缓冲层、第一隧穿结、InyAlGaAs缓冲层、第一组DBR、第一子电池、第二隧穿结、第二组DBR、第二子电池、第三隧穿结、AlGaInP顶电池；所述第一子电池由InxAlGaAs背电场，InxGaAs基区，分段式量子点InxGaAs发射区及第一AlInP或GaInP窗口层组成；所述第二子电池由InxAlGaAs背电场，InxAlGaAs基区，分段式量子点InxAlGaAs发射区及第二AlInP或GaInP窗口层组成；所述AlGaInP顶电池由AlGaInP背电场、GaInP基区、GaInP发射区及IZO窗口层组成。本发明制作的正向四结砷化镓太阳电池，电流密度得到大幅提升，光电转换率高、稳定性好。