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通孔结构的制备方法、通孔结构和半导体器件

基本信息

申请号 CN202110284739.X 申请日 -
公开（公告）号 CN113053807A 公开（公告）日 2021-06-29
申请公布号 CN113053807A 申请公布日 2021-06-29
分类号 H01L21/768;H01L23/528 分类 基本电气元件;
发明人 林豫立 申请（专利权）人 泉芯集成电路制造（济南）有限公司
代理机构 北京超凡宏宇专利代理事务所（特殊普通合伙） 代理人 刘曾
地址 250000 山东省济南市高新区机场路7617号411-2-9室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明的实施例提供了一种通孔结构的制备方法、通孔结构和半导体器件，涉及半导体技术领域，通过在介质层上开孔，形成贯穿介质层的第一导电通孔，再在停止层上开孔，形成贯穿停止层的第二导电通孔，第二导电通孔与第一导电通孔连接，且第二导电通孔的线宽大于相邻的第一导电通孔的线宽。通过在第一导电通孔的下部设置扩孔状的第二导电通孔，并通过第二导电通孔与第一导电层接触，从而在后续填充时增大了与第一导电层的接触面积，降低了接触电阻，进而提升了半导体器件的性能。