半导体器件及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202110281808.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113066799A | 公开（公告）日 | 2021-07-02 |
| 申请公布号 | CN113066799A | 申请公布日 | 2021-07-02 |
| 分类号 | H01L27/12;H01L27/02;H01L21/77 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘学刚;李威谕 | 申请（专利权）人 | 泉芯集成电路制造（济南）有限公司 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 姚璐华 |
| 地址 | 250101 山东省济南市高新区机场路7617号411-2-9室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请公开了一种半导体器件及其制作方法，所述半导体器件包括：第一导体层，所述第一导体层包括至少一条第一走线；第二导体层，所述第二导体层包括至少一条第二走线；所述第一走线与所述第二走线交叉接触；绝缘层，所述绝缘层位于所述第二导体层背离所述第一导体层的一侧；通孔，所述通孔贯穿所述绝缘层，所述第一走线与所述第二走线的至少一个交叉位置上具有所述通孔；第三导体层，所述第三导体层位于所述绝缘层背离所述第一导体层与所述第二导体层的一侧。本发明方案通过在第一走线与第二走线的至少一个交叉位置上设置通孔，并将其余的通孔按照尽可能多的均匀分布，可以使得同层金属的连接性增加，提高可靠性。 |
