一种晶体管及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202110286665.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113066725A | 公开（公告）日 | 2021-07-02 |
| 申请公布号 | CN113066725A | 申请公布日 | 2021-07-02 |
| 分类号 | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/08;H01L29/06 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 詹智颖 | 申请（专利权）人 | 泉芯集成电路制造（济南）有限公司 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 姚璐华 |
| 地址 | 250101 山东省济南市高新区机场路7617号411-2-9室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种晶体管及其制作方法，该制作方法包括：提供一隔绝层；在隔绝层上形成半导体层；在半导体层背离隔绝层的一侧形成阻挡层，所述阻挡层覆盖所述半导体层的隔绝区域；对所述半导体层的其它区域进行掺杂处理形成源极和漏极，所述隔绝区域位于所述源极和所述漏极之间；在所述阻挡层的侧壁形成掩膜层，所述掩膜层覆盖所述源极的部分区域，以及所述漏极的部分区域；进行刻蚀处理以刻蚀掉未被所述掩膜层覆盖的源极区域和漏极区域。通过对源极和漏极区域进行刻蚀处理，在缩小源极和漏极尺寸的情况下，实现了一种更小尺寸更高集成度的晶体管架构。与曝光技术的制作方法相比较而言，在工艺简单的前提下，还可以实现更小尺寸的源极和漏极。 |
