一种鳍式场效应晶体管及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202110275282.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113066724A | 公开（公告）日 | 2021-07-02 |
| 申请公布号 | CN113066724A | 申请公布日 | 2021-07-02 |
| 分类号 | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈庆煌;柯思羽;韦斌;刘志成 | 申请（专利权）人 | 泉芯集成电路制造（济南）有限公司 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 骆宗力 |
| 地址 | 250101 山东省济南市高新区机场路7617号411-2-9室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种鳍式场效应晶体管及其制作方法，对至少一个所述第二光刻胶层进行曝光显影，以在所述第二光刻胶层上形成第三沟槽，所有所述第三沟槽沿所述第一方向排列；其中，在所述第一方向上，所述第三沟槽的宽度与所述第一光刻胶层在所述第一沟槽侧边所有实体部的宽度相同；以及，在所述第一方向上，所述第二光刻胶层在所述第三沟槽侧边的实体部的宽度相同或不同。进而，在去除牺牲层后以第二光刻胶层为掩膜制作鳍部，使得制作出的所有鳍部之间间距相同，且所有鳍部的线宽相同或至少一个鳍部的线宽与其余鳍部的线宽不同。由此优化鳍式场效应晶体管的制作工艺，进而使得鳍式场效应晶体管的鳍部的线宽可调。 |
