光刻掩模版以及掩模版图案成型方法
基本信息
| 申请号 | CN202110300142.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113156760A | 公开（公告）日 | 2021-07-23 |
| 申请公布号 | CN113156760A | 申请公布日 | 2021-07-23 |
| 分类号 | G03F1/76（2012.01）I | 分类 | 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕; |
| 发明人 | 孟祥鹏;孙延涛;陈庆煌;刘志成 | 申请（专利权）人 | 泉芯集成电路制造（济南）有限公司 |
| 代理机构 | 北京超凡宏宇专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 董艳芳 |
| 地址 | 250000山东省济南市高新区机场路7617号411-2-9室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请提供一种光刻掩模版以及掩模版图案成型方法，涉及半导体制程技术领域。本申请提供包括多个间隔排列的掩模条形图的原始掩模图案，并在每个掩模条形图的两侧分别添加至少一个与该掩模条形图间隔设置的散射条纹，使散射条纹的条纹延伸方向与对应掩模条形图的长度延伸方向平行，接着在每个掩模条形图的两个端部位置附近添加与该掩模条形图间隔设置的辅助散射纹路，形成待曝光的目标掩模版图案，使具有目标掩模版图案的光刻掩模版在进行曝光处理时，可通过辅助散射纹路提升由掩模条形图曝光得到的曝光图形的端部边缘平缓度，从而在提升光刻工艺窗口的同时，改善与有效掩模图案对应的曝光图案的边缘内缩状况。 |
