一种鳍式场效应晶体管及半导体器件
基本信息
| 申请号 | CN202110224048.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113035957A | 公开（公告）日 | 2021-06-25 |
| 申请公布号 | CN113035957A | 申请公布日 | 2021-06-25 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 杨忙;张玉静;陈尚志 | 申请（专利权）人 | 泉芯集成电路制造（济南）有限公司 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 骆宗力 |
| 地址 | 250101 山东省济南市高新区机场路7617号411-2-9室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种鳍式场效应晶体管及半导体器件,通过在鳍式场效应晶体管制程中二极管中形成由第一导电类型阱层、第二导电类型深阱层和第二导电类型阱层组成的二极管结构，进而能够减小鳍式场效应晶体管制程中二极管的泄露电流情况；并且通过第一导电类型阱层、第二导电类型阱层和第二导电类型深阱层的占用面积的优化设计，不仅提高了鳍式场效应晶体管制程中二极管的性能，同时优化了鳍式场效应晶体管中二极管的设计，减少了其版图设计的限制。 |
