全环绕闸极水平贯穿式晶体管及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110213264.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113035954A | 公开（公告）日 | 2021-06-25 |
| 申请公布号 | CN113035954A | 申请公布日 | 2021-06-25 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 詹智颖 | 申请（专利权）人 | 泉芯集成电路制造（济南）有限公司 |
| 代理机构 | 北京超凡宏宇专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 严诚 |
| 地址 | 250000 山东省济南市高新区机场路7617号411-2-9室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明的实施例提供了一种全环绕闸极水平贯穿式晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域。全环绕闸极水平贯穿式晶体管包括衬底、隔离层、闸极、绝缘层和器件单元；隔离层生长在衬底上；多个闸极平铺、间隔生长在隔离层上；绝缘层生长在闸极和隔离层上；至少一个器件单元生长在绝缘层上。这样，通过在隔离层上平铺、间隔生长多个闸极，全部的闸极可以一次性同时形成，不存在各个闸极单独形成的情况，也不存在闸极制造顺序不同的情况，各个闸极受到的负载相同，再在闸极和隔离层上生长绝缘层和至少一个器件单元，各个器件单元之间不会存在明显的电性差异。 |
