反偏型硅发光SOI光电隔离器、其集成电路及制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201910823544.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110491967A | 公开（公告）日 | 2019-11-22 |
| 申请公布号 | CN110491967A | 申请公布日 | 2019-11-22 |
| 分类号 | H01L31/173（2006.01）; H01L31/18（2006.01） | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 黄磊; 孙宏亮; 徐开凯; 赵建明; 施宝球; 范洋; 洪继霖; 钱津超; 李建全; 曾尚文; 李洪贞; 廖楠; 徐银森; 黄平; 刘继芝; 陈勇 | 申请（专利权）人 | 广东成利泰科技有限公司 |
| 代理机构 | 石家庄科诚专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 电子科技大学;重庆中科渝芯电子有限公司;广东成利泰科技有限公司;四川芯合利诚科技有限公司;四川遂宁市利普芯微电子有限公司;四川晶辉半导体有限公司;成都智芯微科技有限公司;广东气派科技有限公司;上海朕芯微电子科技有限公司;四川蓝彩电子科技有限公司;上海联芯微电子科技有限公司 |
| 地址 | 611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种反偏型硅发光SOI光电隔离器，包括作为衬底硅的第一衬底、作为SiO2中间层的第一介质层和顶层硅，第一衬底与顶层硅通过智能剥离技术键合；反偏型硅发光SOI光电隔离器包括制作在第一衬底中的硅光探测器、第一介质层以及制作在顶层硅中的硅光源。本发明还公开了上述光电隔离器的制作方法，并进一步公开了上述反偏型硅发光SOI光电隔离器的集成电路及其制作方法。本发明提供了硅光源与硅光探测器轴向排布，面积小、制造成本低，具有较高的光传输效率和集成度；本发明的光电隔离器可以与电路集成在同一个衬底上，硅光源与硅光探测器轴向堆叠，进一步降低了制造成本，具有较高的集成度，适用于光电隔离器的集成技术领域。 |
