多晶硅SOI基板型光电耦合器、其集成电路及制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201910824277.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110518032A | 公开（公告）日 | 2019-11-29 |
| 申请公布号 | CN110518032A | 申请公布日 | 2019-11-29 |
| 分类号 | H01L27/15;H01L21/84 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 徐开凯;冯新;李建全;赵建明;张宁;冯志成;黄兴发;李健儿;廖楠;徐银森;洪继霖;陈勇;施宝球;曾尚文;李洪贞;刘继芝 | 申请（专利权）人 | 广东成利泰科技有限公司 |
| 代理机构 | 石家庄科诚专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 电子科技大学;重庆中科渝芯电子有限公司;四川芯合利诚科技有限公司;四川晶辉半导体有限公司;四川蓝彩电子科技有限公司;四川遂宁市利普芯微电子有限公司;气派科技股份有限公司;广东成利泰科技有限公司;四川上特科技有限公司 |
| 地址 | 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种多晶硅SOI基板型光电耦合器，包括作为衬底硅的第一衬底、作为SiO2中间层的第一介质层和顶层多晶硅，顶层多晶硅通过低压力化学气相沉积法淀积在第一衬底上；光电耦合器包括制作在第一衬底中的硅光探测器、第一介质层以及制作在顶层多晶硅中的多晶硅光源。本发明还公开了上述光电耦合器的制作方法，并进一步公开了上述光电耦合器的集成电路及其制作方法。本发明的多晶硅光源与硅光探测器轴向排布，面积小、制造成本低，具有较高的光传输效率和集成度；本发明的光电耦合器可以与电路集成在同一个衬底上，多晶硅光源与硅光探测器轴向堆叠，进一步降低了制造成本，具有较高的集成度。本发明适用于光电耦合器的集成技术领域。 |
