基于异质结薄膜光源的光耦、其放大集成电路及制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201910823552.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110416250A | 公开（公告）日 | 2019-11-05 |
| 申请公布号 | CN110416250A | 申请公布日 | 2019-11-05 |
| 分类号 | H01L27/15（2006.01）I; H01L31/105（2006.01）I; H01L33/26（2010.01）I; H01L33/42（2010.01）I; H01L21/82（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 徐开凯; 刘昱州; 赵建明; 李建全; 黄磊; 曾德贵; 施宝球; 孙宏亮; 廖楠; 徐银森; 范洋; 洪继霖; 曾尚文; 李洪贞; 刘继芝; 陈勇 | 申请（专利权）人 | 广东成利泰科技有限公司 |
| 代理机构 | 石家庄科诚专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 电子科技大学; 气派科技股份有限公司; 广安职业技术学院; 重庆中科渝芯电子有限公司; 四川芯合利诚科技有限公司; 四川遂宁市利普芯微电子有限公司; 四川蓝彩电子科技有限公司; 广东成利泰科技有限公司; 四川晶辉半导体有限公司 |
| 地址 | 611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种基于异质结薄膜光源的光耦，包括使用集成电路工艺制作在第一衬底上的自下而上轴向排布的硅基TiO2薄膜光源、第一介质层和硅光探测器。本发明还公开了上述基于异质结薄膜光源的光耦的制作方法、基于异质结薄膜光源的光耦的放大集成电路以及该放大集成电路的制作方法。本发明中基于异质结薄膜光源的光耦的硅光探测器和硅基TiO2薄膜光源制作在同一个衬底上，器件集成度高、封装尺寸减小、降低了制造难度和成本；本发明的基于异质结薄膜光源的光耦，能够与电路集成在同一个衬底上，同时光源与光探测器轴向堆叠，不仅缩短了光的传输距离，还能在提高集成度的同时减少光在传播过程中的损耗。本发明适用于光电耦合器集成技术领域。 |
