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具有过渡层的晶硅及锗化硅薄膜复合型单结PIN太阳能电池及其制备方法

基本信息

申请号 CN201410699067.9 申请日 -
公开（公告）号 CN104505418B 公开（公告）日 2017-08-11
申请公布号 CN104505418B 申请公布日 2017-08-11
分类号 H01L31/075;H01L31/0735;H01L31/077;H01L31/18 分类 基本电气元件;
发明人 何湘衡;李廷凯 申请（专利权）人 湖南共创光伏科技有限公司
代理机构 长沙正奇专利事务所有限责任公司 代理人 马强;刘佳芳
地址 421001 湖南省衡阳市雁峰区白沙洲工业园区鸿园路1号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了一种具有过渡层的晶硅及锗化硅薄膜复合型单结PIN太阳能电池及其制备方法。所述太阳能电池在n型硅晶片的前表面或者在n型硅晶片的背表面或者在n型硅晶片的前表面和背表面同时设有过渡层；所述过渡层为一层或者多层，其中任意一层均为富硅氧化硅层。所述制备方法在硅片完成制绒、抛光和清洗后，加入了前氢化干燥处理，同时，在完成此过渡层的工艺后，加入了后氢化处理方式，两种方法用于改善界面质量和结构的稳定性。采用这种过渡层并采用了前氢化干燥处理和后氢化处理过的具有过渡层的晶硅及锗化硅薄膜复合型电池，可以在原来的基础上将电池转换效率提高10％以上。