具有量子阱结构的硅基薄膜太阳能电池及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201510076532.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104733548B | 公开（公告）日 | 2017-03-01 |
| 申请公布号 | CN104733548B | 申请公布日 | 2017-03-01 |
| 分类号 | H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/046(2014.01)I;H01L31/076(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L31/20(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李廷凯;李晴风;钟真 | 申请（专利权）人 | 湖南共创光伏科技有限公司 |
| 代理机构 | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 | 代理人 | 马强;刘佳芳 |
| 地址 | 421001 湖南省衡阳市雁峰区白沙洲工业园区鸿园路1号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种具有量子阱结构的硅基薄膜太阳能电池及其制造方法，在多结薄膜太阳能电池中，每一结的pin结构的i层均采用晶体结构相同而能隙不同的材料形成量子阱结构。这种量子阱能够分离和捕捉游离电子，在太阳光的激发下，形成较大电流而提高薄膜太阳能电池的效率。量子阱的势垒高度可通过其相匹配材料的能隙来调节。量子阱的势垒宽度可通过其相匹配材料的厚度来调节。同时每一结的pin结构的i层的量子阱结构避免了晶粒的异常长大和孔洞和裂缝的形成，制备了致密的、晶粒尺寸大小均匀、能隙匹配的高质量的薄膜，同时，量子阱结构有利于对太阳光的充分吸收。因而，进一步提高了硅基薄膜太阳能电池的效率。 |
