具有梯度结构的硅基薄膜太阳能电池及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201510174969.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104779309B | 公开（公告）日 | 2018-05-18 |
| 申请公布号 | CN104779309B | 申请公布日 | 2018-05-18 |
| 分类号 | H01L31/028;H01L31/0352;H01L31/18 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李廷凯;李晴风;钟真 | 申请（专利权）人 | 湖南共创光伏科技有限公司 |
| 代理机构 | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 | 代理人 | 马强;刘佳芳 |
| 地址 | 421001 湖南省衡阳市雁峰区白沙洲工业园区鸿园路1号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种具有梯度结构的硅基薄膜太阳能电池及其制造方法，在多结薄膜太阳能电池中，包括至少一个pin结，所述pin结中的i层采用晶体结构相同而能隙不同的材料形成能隙均匀降低的梯度结构。这种梯度结构的太阳能电池具有较宽的能谱范围，能够吸收更多的太阳光并转化为电能，形成较大电流而提高薄膜太阳能电池的效率。同时所述pin结中的i层的梯度结构的工艺控制避免了晶粒的异常长大和孔洞和裂缝的形成，制备了致密的，晶粒尺寸大小均匀可控，与太阳能谱较好匹配的高质量的薄膜，同时，梯度结构有利于对太阳光的充分吸收。因而，进一步提高了薄膜太阳能电池的效率。 |
