多结多叠层硅基薄膜太阳能电池及其制造工艺
基本信息
| 申请号 | CN201310588781.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103594536B | 公开（公告）日 | 2017-04-19 |
| 申请公布号 | CN103594536B | 申请公布日 | 2017-04-19 |
| 分类号 | H01L31/042(2014.01)I;H01L31/076(2012.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/20(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张峰;李廷凯;毛炳雪;谭学仕;杨晶晶 | 申请（专利权）人 | 湖南共创光伏科技有限公司 |
| 代理机构 | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 | 代理人 | 马强 |
| 地址 | 421001 湖南省衡阳市雁峰区白沙洲工业园区鸿园路1号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提出了一种多结多叠层硅基薄膜太阳能电池及其制造方法。该方法包括：在镀硅薄膜前对基板进预热处理；在TCO前电极上形成p‑A‑SiC接触层；在p‑A‑SiC接触层上形成p‑A‑SiC窗口层；在p‑A‑SiC缓冲层上形成叠层i‑A‑SiC本征层。本发明采用宽带隙接触层来降低与TCO前电极之间的界面电阻，通过宽带隙窗口层提升顶电池对短波长蓝光的吸收，采用宽带隙缓冲层减少界面壁垒，降低电池的串联电阻及光吸收损失，同时在非晶碳化硅本征层中采用叠层结构，采用梯度式掺杂，形成具有梯度带隙宽度的非晶碳化硅本征层，从而提高电池的短路电流密度及光电转换效率。 |
