高密度管脚QFN的封装结构与方法
基本信息
| 申请号 | CN201911203620.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111106089B | 公开（公告）日 | 2021-08-17 |
| 申请公布号 | CN111106089B | 申请公布日 | 2021-08-17 |
| 分类号 | H01L23/495;H01L23/544;H01L21/48;H01L21/60 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 尹保冠;陈建超;于上家 | 申请（专利权）人 | 青岛歌尔微电子研究院有限公司 |
| 代理机构 | 北京鸿元知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王守梅;袁文婷 |
| 地址 | 266100 山东省青岛市崂山区松岭路396号106室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种高密度管脚QFN的封装结构，属于半导体封装技术领域，包括引线框架结构，所述引线框架结构包括引线框架单元；其中，所述引线框架单元包括位于中部的芯片结合部以及围绕所述芯片结合部分布的四组管脚结合部阵列，在所述管脚结合部阵列的管脚结合部中嵌入有至少一个半切割道绝缘件，所述半切割道绝缘件位于管脚半切线上，并将一个管脚结合部分隔为至少两个管脚结合部。利用本发明，能够有效增加管脚密度，从而提高封装结构的集成度。 |
